삼성전자, 업계 최초 ‘1Tb 9세대 V낸드’ 양산...전 세대 대비 비트 밀도 1.5배 ↑
삼성전자, 업계 최초 ‘1Tb 9세대 V낸드’ 양산...전 세대 대비 비트 밀도 1.5배 ↑
  • 허홍국 기자
  • 승인 2024.04.23
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올 하반기 ‘QLC 9세대 V낸드’도 생산

[한국증권신문_허홍국 기자]

업계 최초 양산되는 ‘9세대 V낸드’ 제품 © 삼성전자
업계 최초로 양산되는 ‘9세대 V낸드’ 제품 © 삼성전자

삼성전자는 업계 최초로 ‘1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드’ 양산을 시작했다고 23일 밝혔다.

1Tb 9세대 V낸드는 더블 스택(Double Stack) 구조로 업계 최소 크기 셀(Cell), 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.

셀 평면적은 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole)제거 기술로 줄였고 셀 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했다.

또 ‘채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)’ 기술을 통해 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성도 향상됐다.

‘채널 홀 에칭’은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다.

특히 적층 단수가 높아져 한 번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 요구된다.

9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 ‘Toggle 5.1’이 적용, 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps 데이터 입출력 속도를 구현했다.

삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다.

또 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력을 약 10% 개선해 환경 경영 강화와 에너지 비용 절감 집중 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 허성회 부사장은 “낸드플래시 제품 세대가 진화할수록 고용량∙고성능 제품에 대한 고객 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것”이라고 말했다.

삼성전자는 TLC 9세대 V낸드에 이어 올 하반기 ‘QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드’도 양산할 예정으로, AI시대 요구되는 고용량·고성능 낸드플래시 개발에 박차를 가할 계획이다.


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