삼성전자가 10나노급 8Gb LPDDR5 D램 개발에 성공했다. 이를 통해 기존 제품보다 소비전력량을 최대 30%줄일 수 있어 스마트폰의 성능향상은 물론 배터리 사용 시간도 더욱 늘릴 수 있다는 장점을 가졌다. 이에 이를 기반으로 모바일 고객들에게 풀HD 대비 4배 고화질인 UHD기반 인공지능(AI)과 머신러닝(ML)을 안정적으로 구현하는 '초고속·초절전·초슬림' 솔루션을 제공할 예정이다.
삼성전자가 17일 10나노급 8Gb 저전력 DDR5(LPDDR5) D램을 세계 최초로 개발했다고 밝혔다. 10나노급 8Gb 저전력 DDR5(LPDDR5) D램은 플래그십 스마트폰에 탑재된 모바일 D램(LPDDR4X, 4266Mb/s)보다 1.5배 빠른 6400Mb/s의 동작 속도를 구현해낸 제품이다.
앞서 삼성전자는 지난 2014년 8Gb LPDDR4 D램을 양산한 지 4년 만에 10나노급 8Gb 저전력 DDR5(LPDDR5) D램 개발에 성공했다. 또한 지난 2017년 12월 업계에서 유일하게 10나노급 D램 기반의 16Gb GDDR6 D램을 양산했고, 올해 2월 16Gb DDR5 D램과 4월 8Gb LPDDR5 D램 개발도 완료한 바 있다.
이에 힘입어 10나노급 8Gb LPDDR5 D램 개발 성공까지 이뤄낸 삼성전자는 경기 평택캠퍼스 최신 라인에서 차세대 D램 라인업의 적기 양산 체제 구축을 통해 고객 수요 증가에 차질 없이 대응해 나갈 방침을 세운 것으로 알려졌다.
특히 이번 삼성전자가 개발한 D랩은 1초에 풀 HD급 영화(3.7GB) 약 14편 용량인 51.2GB의 데이터를 전송할 수 있을 만큼의 빠른 속도를 가진 것이 특징이다. 아울러 1.1V에서 6400Mb/s로 동작하는 제품과 1.05V에서 5500Mb/s로 동작하는 2개 라인업으로 구성했다. 이를 차세대 스마트폰과 자동차용 시스템 시장에 적합한 솔루션을 제공할 예정이다.
뿐만 아니라 초고속 특성 확보를 위해 고속 동작을 검증하는 회로도 탑재했다. 또 데이터 저장 전체 셀 영역에서 단위당 관리구역 16개(8Bank→16Bank)로 늘려 데이터 처리 속도는 높이고 전력 소모는 줄였다.
게다가 소비전력량 감소를 위해 동작모드에서 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)의 속도 변화에 맞춰 D램도 동작 전압을 낮췄다. 이것 말고도 AP의 명령으로 데이터 ‘0’을 기록하면 해당 영역 데이터가 이미 0인 경우 불필요한 쓰기 동작을 실행하지 않도록 설계했다. 아울러 대기모드(Idle)에서 기존 LPDDR4X D램보다 소모되는 전력량을 절반 수준으로 줄인 초절전 동작 모드도 제공하고 있다.
